Последний раз этот стандарт был пересмотрен в 2020. Поэтому данная версия остается актуальной
Тезис Предпросмотр
ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.
Общая информация
-
Текущий статус : PublishedДата публикации : 2014-09
-
Версия : 2
-
- ICS :
-
Chemical analysis
Приобрести данный стандарт
| Формат | Язык | |
|---|---|---|
| PDF + ePub | ||
| Бумажный |
- CHF58
Появились вопросы?
Ознакомьтесь с FAQ
Работа с клиентами
+41 22 749 08 88
Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)
Будьте в курсе актуальных новостей ИСО
Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах.